Hvordan påvirker temperaturen båndgapet? Når temperaturen øker, reduseres båndgapet energi fordi krystallgitteret utvides og de interatomiske bindingene svekkes. Svakere bindinger betyr mindre energi er nødvendig for å bryte en binding og få et elektron i ledningsbåndet.
Er båndgap temperaturavhengig?
Temperatureavhengigheten til båndgapet til InN er svakere enn for de fleste halvledere. For en prøve med lav konsentrasjon av frie elektroner (n=3,5×1017cm-3), er båndgap-variasjonen mellom romtemperatur og lav temperatur kun 47 meV. Implikasjonene av denne lille temperaturkoeffisienten vil bli diskutert.
Hvordan påvirker båndgapet den indre bærerkonsentrasjonen med referanse til temperaturen?
Dette antallet bærere avhenger av båndgapet til materialet og av materialets temperatur. Et stort båndgap vil gjøre det vanskeligere for en bærer å bli termisk eksitert over båndgapet, og derfor er den indre bærerkonsentrasjonen lavere i materialer med høyere båndgap.
Hvordan påvirker temperaturen Fermi-distribusjonen?
Effekt av temperatur på Fermi-Dirac distribusjonsfunksjon
Ved T=0 K, vil elektronene ha lav energi og dermed okkupere lavere energitilstander. … Men når temperaturen øker, får elektronene mer og mer energi på grunn av at de til og med kan stige til ledningsbåndet.
Når temperaturen på halvlederen økes, er energibåndgapet?
Energigapet mellom valansen og ledningsbåndet er veldig lite, så ved å heve temperaturen kan vi få flere elektroner som veksler fra valance til ledningsbinding og dermed øke bærerne av elektrisitet i halvlederne.
